Method of bonding silicon carbide bodies

Abstract

Abstract Translated from German Siliciumcarbid-Formteile aus drucklos gesintertem SiC oder heißgepreßtem SiC werden miteinander verbunden, indem auf zumindest eine der polierten Paßflächen eine maximal 1 um dicke Schicht von wenigstens einem carbid- und oder silicid-bildenden Element aus der Gruppe Ag, Al, Au, B, Be, Co, Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti, V, W und Zr aufgebracht wird und die zusammengefügten Teile in inerter oder reduzierender Atmosphäre zwischen 10<->¹ und 10<5> Pa bei Temperaturen im Sereich von 800 bis 2200°C unter einem Preßdruck von 1 bis 100 MPa, (insbesondere bei etwa 1550°C - 1750°C unter 15 - 45 MPa in 10³ bis 10<5> Pa Argon über 30 - 60 min) miteinander verschweißt werden, Vorzugsweise wird die dünne Schicht aufgedampft oder aufgesputtert. Bewährt haben sich als Beschichtungselemte Cr, Cu, Ni, Pt und/oder Pd, insbesondere Cu und seine Legierungen. Silicon carbide molded parts made of pressure-free sintered SiC or hot-pressed SiC are bonded to one another by a layer of at least 1 μm thick of at least one carbide-forming or silicide-forming element from the group Ag, Al, Au, B, Be, on at least one of the polished mating surfaces , Co, Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Mo, Nb, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti, V, W and Zr is applied and the assembled parts in an inert or reducing atmosphere between 10 <-> ¹ and 10 <5> Pa at temperatures in the range of 800 to 2200 ° C under a pressure of 1 to 100 MPa, (especially at about 1550 ° C - 1750 ° C under 15 - 45 MPa in 10³ to 10 <5> Pa argon above 30 - 60 min) are welded together, preferably the thin layer is vapor-deposited or sputtered on. Cr, Cu, Ni, Pt and / or Pd, in particular Cu and its alloys, have proven successful as coating elements.

Inventors

• 👤 Ernö Dr. Gyarmati
• 👤 Aristides Dr. Naoumidis

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