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EP0174686A2 Expired / Lapsed EP ⏱️ 0.0 years remaining

Semiconductor temperature sensor

Assignee: Koninklijke Philips NV
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Filing: 1985-08-28
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Granted: —
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Expires: 2005-08-28
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Abstract

Abstract Translated from German Temperatursensor in Form eines temperaturabhängigen, nach dem Stromausbreitungsprinzip arbeitenden Halbleiterwiderstandes mit einem Halbleiterkörper vom einen Leitungstyp aus Silicium, der an seiner Unterseite mit einer gut leitenden Schicht an seiner mit einer Siliciumoxidschicht oder einer Siliciumnitridschicht bedeckten Oberseite mit mindestens einer Kontaktzone von einen Leitungstyp versehen ist. Temperature sensor in the form of a temperature-dependent semiconductor resistor which works according to the current propagation principle and has a semiconductor body of a conductivity type made of silicon, which is provided on its underside with a highly conductive layer on its top side covered with a silicon oxide layer or a silicon nitride layer with at least one contact zone of one conductivity type. Um bei einem solchen Temperatursensor zu erreichen, daß der vorgegebene Widerstandswert besser eingehalten wird und der Temperaturkoeffizient nur eine geringe Streuung aufweist, wird der halbleiterkörper an seiner, der Siliciumoxidschicht oder Siliciumnitridschicht benachbarten Oberfläche mit einer Oberflächenzone vom anderen, entgegengesetzten Leitungstyp versehen. In order to achieve in such a temperature sensor that the predetermined resistance value is better maintained and the temperature coefficient has only a small scatter, the semiconductor body is provided on its surface adjacent to the silicon oxide layer or silicon nitride layer with a surface zone of the other, opposite conductivity type. Dadurch ist es möglich, den Einfluß von Ladungen auf der Siliciumoxidschicht bzw. Siliciumnitridschicht, deren Anzahl und Beweglichkeit nicht reproduzierbar sind, auf das Bauelement so gering wie möglich zu halten, bzw. VöHig zu kompensieren. This makes it possible to keep the influence of charges on the silicon oxide layer or silicon nitride layer, the number and mobility of which cannot be reproduced, as small as possible, or to compensate for it completely.

Inventors

  • 👤 Heinrich Dr. Zeile
  • 👤 Hartmut Witt

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction EP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-11-06 15:06
CPC Classifications
G; G01; G01K; G01K7/00; G01K7/01; G01K7/16; G01K7/22; G01K7/223

Claims Analysis

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References Cited (Backward Citations)

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