By-pass element

Abstract

Abstract Translated from German Elektrochemische Speicherzellen (20), die mit weiteren Speicherzellen (20) in Reihe geschaltet sind, müssen für den Fall, daß sie hochohmig werden, elektrisch überbrückbar sein. Erfindungsgemäß wird jeder Speicherzelle (20) ein Überbrückungselement (1) parallel geschaltet, das durch ein Halbleiter-Bauelement (2) gebildet ist, daß wenigstens bereichsweise von einer elektrisch leitenden Schicht (3) umgeben und über elektrische Anschlußelemente (7, 8) mit dem positiven und dem negativen Anschlußpol (25, 26) der Speicherzelle verbunden ist. Bei korrekter Funktionsweise der Speicherzelle ist das Halbleiter-Bauelement in Sperr-Richtung geschaltet. Wird die Speicherzelle (20) hochohmig, so kommt es an ihren Stromkollektoren (25, 26) zu einer Spannungsumkehr, so daß auch an den Anschlußelementen (7, 8) des Überbrückungselementes (1) eine Spannungsumkehr stattfindet und das Halbleiter-Bauelement (2) in Durchlaßrichtung geschaltet ist. Der Strom wird nun von dem Überbrückungselement (1) aufgenommen. Der anwachsende Diodenstrom bewirkt einen Temperaturanstieg innerhalb des Überbrückungselements (1) wodurch es zu einem Schmelzen des Halbleiter-Bauelementes (2) und der angrenzenden elektrisch leitenden Schicht (3) kommt, so daß diese zu einem Kurzschlußelement zusammen legiert werden, das den Strom dauerhaft übernehmen kann. Electrochemical storage cells (20) which are connected in series with further storage cells (20) must be able to be electrically bridged in the event that they become high-resistance. According to the invention, each bridging cell (20) has a bridging element (1) connected in parallel, which is formed by a semiconductor component (2) that is at least partially surrounded by an electrically conductive layer (3) and connected to the via electrical connection elements (7, 8) positive and the negative connection pole (25, 26) of the memory cell is connected. If the memory cell functions correctly, the semiconductor component is switched in the blocking direction. If the memory cell (20) has a high resistance, a voltage reversal occurs at its current collectors (25, 26), so that a voltage reversal also takes place at the connection elements (7, 8) of the bridging element (1) and the semiconductor component (2) is switched in the forward direction. The current is now taken up by the bridging element (1). The increasing diode current causes a temperature rise within the bridging element (1), which causes the semiconductor component (2) and the adjacent electrically conductive layer (3) to melt, so that these are alloyed together to form a short-circuit element which takes over the current permanently can.

Inventors

• 👤 Hans Dr. Dipl.-Phys. Kahlen
• 👤 Bernd Dr. Dipl.-Phys. Jahnke
• 👤 Conrad Dr. Dipl.- Phys. Schmidt
• 👤 Botho Dr. Dipl.- Phys. Ziegenbein

Bibliographic Details