Read only memory made in a prediffused integrated circuit

Abstract

Abstract Translated from French Cette mémoire morte est au type a interrupteurs MOS, réalisée en circuit intégré prédiffusé comportant des rangées de transistors MOS alternativement de type P et de type N, à grilles non réunies d'une rangée à l'autre, organisés en cellules de base comportant chacune deux transistors adjacents de type P et deux transistors adjacents de type N de deux rangées adjacentes. Une mémoire morte de N mots de P éléments binaires est réalisée avec x P cellules de base de ce type disposées et interconnectées sous forme matricielle. This read only memory is of the type with MOS switches, produced in a pre-diffused integrated circuit comprising rows of MOS transistors alternately of type P and of type N, with gates not joined from one row to another, organized in basic cells each comprising two adjacent P-type transistors and two adjacent N-type transistors of two adjacent rows. A read only memory of N words of P binary elements is produced with x P basic cells of this type arranged and interconnected in matrix form. Application à la réalisation de mémoires ROM en circuits intégrés. Application to the production of ROM memories in integrated circuits.

Inventors

• 👤 Jean-Claude Audrix

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