MESFET field-effect transistors for hyperfrequency applications and process for manufacturing such a transistor

Abstract

Abstract Translated from French Transistor à effet de champ pour applications hyperfréquences, comportant sur un substrat monocristallin semi-isolant (1), une couche mince active dopée N (2), d'un matériau présentant une mobilité électronique élevée, à la surface de laquelle sont déposés deux contacts ohmiques formant les régions d'accès source et drain (17 et 18) du transistor entre lesquels un contact métallique constitue l'électrode de grille (8) de type Schottky. Field effect transistor for microwave applications, comprising on a semi-insulating monocrystalline substrate (1), an active thin layer doped N (2), of a material having a high electronic mobility, on the surface of which are deposited two contacts ohmic forming the source and drain access regions (17 and 18) of the transistor between which a metal contact constitutes the gate electrode (8) of Schottky type. Selon l'invention, ce transistor est remarquable en ce qu'une couche diélectrique (4) est disposée sur la couche active (2), entre les électrodes de source (17) et de grille (8) d'une part, et entre les électrodes de grille (8) et de drain (18) d'autre part, et en ce que la couche métallique (5) constituant les contacts ohmiques se prolonge continûment sur cette couche diélectrique (4), sans cependant faire court-circuit avec la grille (8). According to the invention, this transistor is remarkable in that a dielectric layer (4) is disposed on the active layer (2), between the source (17) and gate (8) electrodes on the one hand, and between the gate (8) and drain (18) electrodes on the other hand, and in that the metal layer (5) constituting the ohmic contacts is continuously extended on this dielectric layer (4), without however making a short circuit with the grid (8). Un procédé de réalisation permettant d'obtenir un tel transistor est également proposé. Application: circuits hyperfréquences A production method for obtaining such a transistor is also proposed. Application: microwave circuits

Inventors

• 👤 Dominique Boccon-Gibod

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