Integrable Hall element

Abstract

Abstract Translated from German Das integrierbare Hallelement dient der Messung eines parallel zu seiner Oberfläche wirkenden Magnetfeldes ( H ) und besteht aus einer Halbleiterschicht (6) eines bestimmten Leitfähigkeitstyps, an deren Oberfläche zwei Sensorelektroden (4, 5) und eine erste Stromelektrode (2) angeordnet sind, die sich wenigstens annähernd in der Mitte zwischen den beiden Sensorelektroden (4, 5) und auf deren Verbindungsgeraden befindet. Mindestens eine zusätzliche verteilte Stromelektrode, z. B. eine zylinderförmige zweite Stromelektrode 3 mit halbkreisförmigem Querschnitt, ist so angeordnet, daß alle im Betrieb zwischen den Stromelektroden (2, 3) fließenden Ströme eine vektorielle Stromresultierende bilden, die in der Nähe der ersten Stromelektrode (2) im wesentlichen senkrecht zur Oberfläche der Halbleiterschicht (6) verläuft. Ein Stromanschluß (C1) der ersten Stromelektrode (2) bildet einen ersten Speisepol zum Anschließen einer Speisequelle. Die zweite Stromelektrode (3) besitzt z. B. zwei an der Oberfläche der Halbleiterschicht (6) gelegene Anschlußkontakte für zwei Stromanschlüsse (C'2, C"2), die zusammen einen zweiten Speisepol bilden zum Anschließen der Speisequelle. The integrable Hall element is used to measure a magnetic field acting parallel to its surface ( H ) and consists of a semiconductor layer (6) of a certain conductivity type, on the surface of which two sensor electrodes (4, 5) and a first current electrode (2) are arranged, which are at least approximately in the middle between the two sensor electrodes (4, 5) and located on their connecting straight line. At least one additional distributed current electrode, e.g. B. a cylindrical second current electrode 3 with a semicircular cross-section is arranged so that all currents flowing in operation between the current electrodes (2, 3) form a vectorial current resultant, which in the vicinity of the first current electrode (2) substantially perpendicular to the surface of the Semiconductor layer (6) runs. A current connection (C1) of the first current electrode (2) forms a first feed pole for connecting a feed source. The second current electrode (3) has, for. B. two on the surface of the semiconductor layer (6) located contacts for two power connections (C'2, C "2), which together form a second feed pole for connecting the feed source.

Inventors

• 👤 Radivoje Popovic

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