Process and apparatus for plasma treatment of semiconductor materials

Abstract

Abstract Translated from French Procédé et dispositif de traitement d'un matériau semiconducteur, par plasma. Method and device for treating a semiconductor material by plasma. Selon l'invention, le matériau (8) est placé dans une enceinte (2) électriquement isolante et soumis à un plasma obtenu par ionisation, dans l'enceinte, d'un composé gazeux approprié au traitement et soumis à un champ magnétique uniforme (B 0 ) ainsi qu'à un champ électromagnétique radio-fréquence dont la composante magnétique (B T ) est perpendiculaire au champ magnétique uniforme. According to the invention, the material (8) is placed in an electrically insulating enclosure (2) and subjected to a plasma obtained by ionization, in the enclosure, of a gaseous compound suitable for treatment and subjected to a uniform magnetic field ( B 0 ) as well as to a radio frequency electromagnetic field whose magnetic component (B T ) is perpendicular to the uniform magnetic field. Application à la gravure de plaquettes de silicium. Application to the etching of silicon wafers.

Inventors

• 👤 André Bouchoule
• 👤 Pierre Ranson
• 👤 Daniel Henry

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