Method of making bipolar structures with self-aligned emitter and base regions for high frequency circuits

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Bipolartransistorstrukturen mit selbstjustierten Emitter- und Basisbereichen, bei dem Emitter (12)- und Basisbereich (13, 14) durch Ausdiffusion aus dotierten Polysiliziumschichten (4, 5, 11) erzeugt werden und bei dem zur Strukturierung der SiO2 (3, 6, 8, 10)- und Polysiliziumschichten (4, 5, 11) vertikale Ätzprofile erzeugende Trockenätzverfahren verwendet werden. Die Verwendung von zusätzlichen Oxidationsprozessen zur Verbreiterung der lateralen Flankenisolation (siehe Pfeil 9) während der Herstellung der Bipolartransistorstrukturen ermöglicht neben Vorteilen in Bezug auf die elektrischen Parameter selbstjustierte Emitter-Basis-Strukturen (12, 13, 14) mit hoher Reproduzierbarkeit. Das Verfahren wird verwendet zur Herstellung von VLSI-Schaltungen in Bipolartechnik. The invention relates to a method for producing bipolar transistor structures with self-aligned emitter and base regions, in which the emitter (12) and base regions (13, 14) are produced by outdiffusion from doped polysilicon layers (4, 5, 11) and in which the structure is structured SiO2 (3, 6, 8, 10) and polysilicon layers (4, 5, 11) vertical etching profiles generating dry etching processes are used. The use of additional oxidation processes to widen the lateral edge insulation (see arrow 9) during the manufacture of the bipolar transistor structures enables, in addition to advantages with regard to the electrical parameters, self-aligned emitter-base structures (12, 13, 14) with high reproducibility. The method is used to manufacture VLSI circuits using bipolar technology.

Inventors

• 👤 Armin Dr. Ing. Wieder
• 👤 Hans-Christian Dr. Rer. Nat. Schaber
• 👤 Siegfried Dr. Rer. Nat. Schwarzl

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