Line transfer light-sensitive device

Abstract

Abstract Translated from French La présente invention concerne des perfectionnements aux dispositifs photosensibles à transfert de ligne comportant sur au moins un substrat semiconducteur, une zone photosensible (1) de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles (PH) des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à une mémoire de ligne (4) qui assure au moins le transfert des charges signal intégrées sur une même ligne de la zone photosensible vers un registre de lecture (3) constitué par un registre à décalage à transfert de charge du type transfert en volume. Conformément à la présente invention, la mémoire de ligne (4) est réalisée sur une zone (TV) de substrat semiconducteur présentant une implantation d'impuretés de type opposé à celui du substrat de manière à réaliser un transfert des charges «en volume», le dopage en impuretés de la zone de réalisation de la mémoire de ligne étant inférieur ou égal à celui de la zone de réalisation du registre à décalage. L'invention s'applique en particulier aux dispositifs photosensibles à transfert de ligne fonctionnant avec une double charge d'entraînement. The present invention relates to improvements to line transfer photosensitive devices comprising on at least one semiconductor substrate, a photosensitive area (1) of M lines of N photosensitive points, the photosensitive points (PH) of the different lines being connected in parallel by conductive columns to a line memory (4) which ensures at least the transfer of the integrated signal charges on the same line from the photosensitive zone to a read register (3) constituted by a charge transfer shift register of the transfer type in volume. In accordance with the present invention, the line memory (4) is produced on an area (TV) of semiconductor substrate having an implantation of impurities of the opposite type to that of the substrate so as to transfer the charges "in volume", the doping in impurities of the area of production of the line memory being less than or equal to that of the area of production of the shift register. The invention applies in particular to line transfer photosensitive devices operating with a double drive load.

Inventors

• 👤 Jean-Luc Thomson-Csf Berger
• 👤 Louis Thomson-Csf Brissot
• 👤 Yvon Thomson-Csf Cazaux

Bibliographic Details