Semiconductor device with a hot electron transistor

Abstract

Abstract Translated from German Halbleiter-Bauelement mit einem Heiße-Elektronen-Transistor des Tunnelemissionstyps, der eine Emitterschicht, eine erste Isolatorschicht, eine metallische oder metallisch leitende Basisschicht und eine Kollektorschicht aufweist. Angestrebt wird eine Ausgestaltung des Bauelements, die in einfacher Weise herstellbar ist. Das wird dadurch erreicht, daß die Emitterschicht aus einer Inversionsschicht (16) besteht, die im Kanalbereich (4) eines auf einem Halbleiterkörper (1) integrierten Feldeffekttransistors zwischen dessen Source-und Draingebiet (2,3) aufgebaut ist, wobei die Basisschicht (5) wenigstens einen Teil der Gateelektrode des Feldeffekttransistors darstellt und die Kollektorschicht aus einer metallischen oder metallisch leitenden Schicht (8) und einer zwischen dieser und der Bassisschicht (5) befindlichen, zweiten Isolatorschicht (7) besteht. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte Schaltkreise. Semiconductor component with a hot electron transistor of the tunnel emission type, which has an emitter layer, a first insulator layer, a metallic or metallic conductive base layer and a collector layer. The aim is to design the component in a simple manner. This is achieved in that the emitter layer consists of an inversion layer (16) which is built up in the channel region (4) of a field effect transistor integrated on a semiconductor body (1) between its source and drain region (2, 3), the base layer (5 ) represents at least part of the gate electrode of the field effect transistor and the collector layer consists of a metallic or metallically conductive layer (8) and a second insulator layer (7) located between the latter and the base layer (5). The application area includes highly integrated circuits.

Inventors

• 👤 Doris Dipl.-Ing. Dipl.-Phys. Schmitt-Landsiedel
• 👤 Gerhard Dr. Dorda

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