C-MOS inverter

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung dient dazu, ein sicheres Sperren des CMOS-Inverters zu gewährleisten, dessen Betriebsspannung in einem Hochvolt-Bereich von ca. 20 V liegt, wenn er mit einem CMOS-Inverter niedrigere Betriebsspannung angesteuert wird. Dazu liegt in Reihe zum MOS-FET (2) ein selbstleitender n-Kanal-MOST-FET (3), dessen Steuereingang mit dem Inverterausgang verbunden ist. The invention serves to ensure safe blocking of the CMOS inverter, the operating voltage of which is in a high-voltage range of approximately 20 V when it is driven by a lower operating voltage using a CMOS inverter. In addition to the MOS-FET (2) there is a self-conducting n-channel MOST-FET (3), the control input of which is connected to the inverter output.

Inventors

• 👤 Hartmut Dr.Phys. Schrenk

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