Double heterojunction bipolar transistor suited for monolithic integration with optoelectronic devices

Abstract

Abstract Translated from French Transistor bipolaire à double hétérojonction compatible avec des composants optoélectroniques pour l'intégration monolithique. Il comprend une double hétérostructure par exemple du type n-GaAlAs/n-GaAs/n-GaAlAs. Des impuretés sont implantées dans la couche interne (2) en GaAs, à travers la couche de surface (3) en GaAlAs, de façon à former une zone (6) de type p. D'autres impuretés sont implantées dans la couche de surface, à l'intérieur de ladite zone, de façon à former une zone (7) de type n. Ce procédé de fabrication par double implantation ionique est également compatible avec les procédés de réalisation des composants optoélectroniques tels que lasers, phototransistors. Application aux télécommunications optiques. Double heterojunction bipolar transistor compatible with optoelectronic components for monolithic integration. It comprises a double heterostructure, for example of the n-GaAlAs / n-GaAs / n-GaAlAs type. Impurities are implanted in the inner layer (2) of GaAs, through the surface layer (3) of GaAlAs, so as to form a p-type zone (6). Other impurities are implanted in the surface layer, inside said zone, so as to form an n-type zone (7). This manufacturing process by double ion implantation is also compatible with the processes for producing optoelectronic components such as lasers, phototransistors. Application to optical telecommunications.

Inventors

• 👤 David Ankri
• 👤 Jean-Claude Bouley
• 👤 André Scavennec

Bibliographic Details