Method of producing stable, low ohmic contacts in integrated semiconductor circuits

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von stabilen, niederohmigen Kontakten in integrierten Halbleiterschaltungen mit aus Aluminium oder AluminiumLegierungen bestehenden äußeren Kontaktleiterbahnebenen (7). Dabei werden die für die Kontaktierung vorgesehenen diffundierten Bereiche (2) der Schaltung mit Kontaktlöchern (4) gleicher, den minimalen Abmessungen der Schaltung angepaßter Größe versehen, in die Kontaktlöcher (4) eine Metallsilizidschicht (5) eingebracht und eine aus Aluminium (7) und n + -dotiertem Polysiliziumschicht (6) bestehende Doppelschicht verwendet, wobei vorzugsweise die Dicke der n + -dotierten Polysiliziumschicht (6a) über dem Kontaktloch etwa der halben Kontaktlochkantenlänge entspricht. Durch diesen Kontakt wird die Zuverlässigkeit und die Belastbarkeit von elektrischen Leiterbahnen für VLSI-Systeme erhöht. Das Verfahren wird angewendet zur Kontaktierung von n + - und p + -diffundierten Bereichen bei der Herstellung von MOS-und Bipolar-Schaltungen. The invention relates to a method for producing stable, low-resistance contacts in integrated semiconductor circuits with outer contact conductor levels (7) consisting of aluminum or aluminum alloys. The diffused areas (2) of the circuit provided for contacting are provided with contact holes (4) of the same size, adapted to the minimum dimensions of the circuit, a metal silicide layer (5) is introduced into the contact holes (4) and one made of aluminum (7) and n + -doped polysilicon layer (6) existing double layer is used, preferably the thickness of the n + -doped polysilicon layer (6a) over the contact hole corresponds approximately to half the contact hole edge length. This contact increases the reliability and resilience of electrical conductor tracks for VLSI systems. The method is used for contacting n + and p + diffused areas in the production of MOS and bipolar circuits.

Inventors

• 👤 Dietrich Dr.-Ing. Widmann
• 👤 Reiner Dipl.-Ing. Sigusch (Fh)

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