Semiconductor component with a contact hole

Abstract

Abstract Translated from German Zur Kontaktierung zweier übereinanderliegender Halbleiterzonen verschiedenen Leitungstyps ist die obere Zone (3) mit einer Öffnung (5) versehen, innerhalb der die untere Zone (2) frei liegt. Besonders flächensparend ist die Kontaktierung dann, wenn die obere Zone (3) nur am Rand (8) und die untere Zone (2) in einer Tiefe (d) kontaktiert ist, in der ihr Dotierstoffmaximum liegt. Für die obere Zone ist dabei je nach Dicke eine Dotierung von = 10 19 cm -3 notwendig. The upper zone (3) is provided with an opening (5) in which the lower zone (2) is exposed in order to make contact with two semiconductor zones of different conductivity types one above the other. The contacting is particularly space-saving if the upper zone (3) is only contacted at the edge (8) and the lower zone (2) at a depth (d) in which their dopant maximum lies. Depending on the thickness, a doping of = 10 19 cm -3 is necessary for the upper zone.

Inventors

• 👤 Helmut Dr. Phil. Strack
• 👤 Gottfried Schuh

Bibliographic Details