Schottky diode

Abstract

Abstract Translated from German Die Sperrspannung einer Schottky-Leistungsdiode wird unter anderem durch die Krümmung der Raumladungszone (8) unter dem Rand des Schottky-Kontaktes (5) begrenzt. Der Krümmungsradius wird durch eine über der lsolationsschicht (2) angeordnete halbisolierende Schicht (4) vergrößert, die einerseits elektrisch mit dem Schottky-Kontakt (5) verbunden ist und andererseits an lateral entfernten Stellen (6) auf Substratpotential liegt. Damit wird die Raumladungszone (8) aufgeweitet. Die Zwischenschicht kann auch unter dem Schottky-Kontakt (5) liegen und bewirkt dort zusätzlich eine Verbesserung des Schaltverhaltens auf physikalischem Wege. The reverse voltage of a Schottky power diode is limited, among other things, by the curvature of the space charge zone (8) under the edge of the Schottky contact (5). The radius of curvature is increased by a semi-insulating layer (4) arranged above the insulation layer (2), which is electrically connected on the one hand to the Schottky contact (5) and on the other hand is at substrate potential at laterally distant locations (6). The space charge zone (8) is thus expanded. The intermediate layer can also be located under the Schottky contact (5) and there additionally improves the switching behavior in a physical way.

Inventors

• 👤 Heinz Dr. Rer. Nat. Phys. Mitlehner

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