Method for the production of a semiconductor laser having several independent wavelengths

Abstract

Abstract Translated from French Procédé de réalisation d'un laser à plusieurs longueurs d'onde et laser obtenu. Method for producing a laser at several wavelengths and laser obtained. On réalise une première double hétérostructure sur un substrat (10) par épitaxie avec une couche active ayant une première composition. On décapte cette première hétérostructure jusque dans le substrat, à travers un masque muni d'ouvertures enforme de bandes. On fait croître dans les parties décapées une seconde double hétérostructure (B, B'...) avec une couche active ayant une seconde composition. On grave un sillon (24) entre la première (A) et la seconde (B) hétérostructure puis on effectue un bombardement protonique du sillon (24). A first double heterostructure is produced on a substrate (10) by epitaxy with an active layer having a first composition. This first heterostructure is adapted to the substrate, through a mask provided with strip-shaped openings. A second double heterostructure (B, B ', etc.) is grown in the pickled parts with an active layer having a second composition. A groove (24) is etched between the first (A) and the second (B) heterostructure and then a proton bombardment of the groove (24) is carried out. Application en télécommunications optiques. Application in optical telecommunications.

Inventors

• 👤 Noureddine Bouadma
• 👤 Jean-Claude Bouley
• 👤 Jean Riou

Bibliographic Details