Electric nonvolatile word-programmable memory and use of such a memory

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft einen wortweise elektrisch umprogrammierbaren nichtflüchtigen Speicher mit matrixförmig angeordneten und Speichertransistoren (11) aufweisenden Speicherzellen (20 bis 43), bei denen die Lesefenster der Speichertransistoren (11) der Speicherzellen (20 bis 43) in mindestens zwei Teilbereichen (Z 1 , Z 2 und Z 3 bis Z 6 ) des Speichers (10) unterschiedlich breit sind sowie die Verwendung eines solchen Speichers. The invention relates to a word-by-word electrically reprogrammable non-volatile memory with memory cells (20 to 43) arranged in a matrix and having memory transistors (11), in which the reading windows of the memory transistors (11) of the memory cells (20 to 43) are arranged in at least two partial areas (Z 1 , Z 2 and Z 3 to Z 6 ) of the memory (10) are of different widths and the use of such a memory.

Inventors

• 👤 Hartmut Dr. Dipl.-Phys. Schrenk

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