Semiconductor device of the heterojunction transistor type

Abstract

Abstract Translated from French La présente invention concerne un dispositif semiconducteur, du genre transistor à hétérojonction(s), comprenant un empilement de couches semiconductrices qui, par combinaison, forment trois régions dites de source (15, 14), de grille (12) et de drain (11, 10, 8), alors que le trajet du courant qui s'établit entre lesdites régions de source et de drain est sensiblement perpendiculaire aux diverses jonctions, remarquable en ce que la région de grille (12) constitue une région d'accumulation d'électrons, sous la forme d'un quasi-gaz de Fermi à deux dimensions que l'on peut porter au potentiel de polarisation désiré au moyen d'une électrode de grille (13), alors que les électrons qui forment le courant source-drain traversent ce nuage d'électrons sans avoir beaucoup d'interaction avec lui, sous un régime balistique ou quasi-balistique. The present invention relates to a semiconductor device, of the heterojunction transistor (s) type, comprising a stack of semiconductor layers which, by combination, form three regions called source (15, 14), gate (12) and drain (11 , 10, 8), while the current path which is established between said source and drain regions is substantially perpendicular to the various junctions, remarkable in that the gate region (12) constitutes a region of accumulation of electrons, in the form of a two-dimensional Fermi quasi-gas which can be brought to the desired polarization potential by means of a gate electrode (13), while the electrons which form the source-drain current pass through this electron cloud without having much interaction with it, under a ballistic or quasi-ballistic regime. Application : dispositif semiconducteur Application: semiconductor device

Inventors

• 👤 Peter Michael Frijlink

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