High power semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from German Zur Erzielung guter Durchlaßeigenschaften müssen schnelle Thyristoren eine möglichst geringe Mittelzonendicke haben. Werden solche Bauelemente durch mit Passivierungsmittel (18) gefüllte, in die Oberfläche eingeätzte, die pn-Übergänge (14, 15) durchdringende Gräben (16, 19) passiviert, werden die für die Chips verwendeten großflächigen Halbleiterscheiben gegen Bruch außerordentlich anfällig. Hohe mechanische Stabilität bei guten Durchlaßeigenschaften lassen sich miteinander vereinbaren, wenn der die Gräben (16, 19) aufnehmende Randbereich (6) dicker als der die Durchlaßeigenschaften bestimmende Mittelbereich (5) ausgebildet ist. To achieve good transmission properties, fast thyristors must have the smallest possible central zone thickness. If such components are passivated by trenches (16, 19) filled with passivation agent (18), etched into the surface and penetrating the pn junctions (14, 15), the large-area semiconductor wafers used for the chips become extremely susceptible to breakage. High mechanical stability with good passage properties can be reconciled if the edge area (6) receiving the trenches (16, 19) is thicker than the middle area (5) which determines the passage properties.

Inventors

• 👤 Fritz Dipl.-Ing. Kirschner
• 👤 Ludwig Dipl.-Ing. Sagi

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