Process for making adjacent ion impurity implanted wells for manufacturing highly integrated complementary MOS field effect transistor circuits

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung benachbarter mit Dotierstoff-lonen implantierter Wannen bei der Herstellung hochintegrierter komplementärer MOS-Feldeffekttransistorschaltungen (CMOS-Schaltungen), sowie eine, an die Wannenherstellung angepaßte Verfahrensfolge für einen CMOS-Prozeß. Dabei wird zur räumlichen weitgehenden Separation der Wannen die p-Wanne (5) vor der n-Wanne (8) hergestellt und gezielt eine Unterätzung (25) der als Implantationsmaske bei der p-Wannenherstellung dienenden Nitridschicht (4) erzeugt, so daß bei der nachfolgenden Oxidation die Kante der Oxidation um 1 bis 2 µm nach außen verschoben wird. Außerdem wird die Eindringtiefe X jn der n-Wanne (8) um den Faktor ≥4 geringer eingestellt als die Eindringtiefe X jp der p-Wanne (5), wobei die Dicke der n-dotierten Epitaxieschicht 2 und die Eindringtiefe Xj p aufeinander abgestimmt sind. Beide Wannen werden getrennt implantiert und diffundiert. Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung werden die Nachteile der gegenseitigen weitreichenden Kompensation von p-und n-Wanne vermieden. The invention relates to a method for producing adjacent wells implanted with dopant ions in the manufacture of highly integrated complementary MOS field-effect transistor (CMOS) circuits, and to a process sequence for a CMOS process which is adapted to the well manufacture. The p-well (5) is produced in front of the n-well (8) for extensive spatial separation of the wells and an undercut (25) of the nitride layer (4) serving as an implantation mask in the p-well production is produced, so that the subsequent oxidation the edge of the oxidation is shifted outwards by 1 to 2 µm. In addition, the penetration depth X jn of the n-well (8) is set smaller by a factor of ≥4 than the penetration depth X jp of the p-well (5), the thickness of the n-doped epitaxial layer 2 and the penetration depth Xj p being matched to one another . Both tubs are implanted and diffused separately. The method according to the teaching of the invention avoids the disadvantages of the far-reaching mutual compensation of p and n wells.

Inventors

• 👤 Ulrich Dr. Schwabe
• 👤 Erwin Dr. Jacobs

Bibliographic Details