Phototransistor in MOS thin-film technology, method of manufacturing it and method of using it

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft einen Fototransistor in MOS-Dünnschichttechnik, der bei Wechselspannungen betrieben wird, bestehend aus einem Halbleiterkörper (3) aus polykristallinem Silizium, in dem sich, getrennt durch einen undotierten Kanalbereich (13), eine Source (4)- und eine Drainzone (5) befinden und einer Gateelektrode (1, 10), die von dem polykristallinen Siliziumhalbleiterkörper (3) getrennt durch eine, durch thermische Oxidation erzeugte Si0 2 -Schicht (2) angeordnet ist. The invention relates to a phototransistor using MOS thin-film technology, which is operated at AC voltages, comprising a semiconductor body (3) made of polycrystalline silicon in which, separated by an undoped channel region (13), a source (4) and a drain zone ( 5) and a gate electrode (1, 10), which is separated from the polycrystalline silicon semiconductor body (3) by an Si0 2 layer (2) produced by thermal oxidation. Der Fototransistor ist leicht herstellbar und zeichnet sich durch niedrige Einsatzspannungen und einen guten Kennlinienverlauf aus; er ist deshalb als Sensorelement, Optokoppler, Verzögerungselement und als Fototransistor in hochintegrierten Schaltungen gut einsetzbar. The phototransistor is easy to manufacture and is characterized by low threshold voltages and a good characteristic curve; it can therefore be used as a sensor element, optocoupler, delay element and as a phototransistor in highly integrated circuits.

Inventors

• 👤 Armin Dr. Wieder
• 👤 Lothar Dr. Risch

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