Method of producing a pedestal for mounting a semiconductor chip on the base of an encapsulating housing

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un socle isolant pour le montage d'une pastille semiconductrice par l'intermédiaire de ses métallisations d'électrodes, dont l'une au moins nécessite un perçage du socle, avec métallisation du trou. Selon l'invention, au lieu d'être réalisé en céramique, avec perçage mécanique, le socle est réalisé en matériau (14) choisi parmi ceux qui se percent par attaque chimique anisotropique par voie humide ou sèche. Le perçage (15) s'arrête en butée contre l'une (16) des métallisations de report (16, 17, 18) préalablement déposées sur le socle. Le trou (15) est rempli de métal (19) bon conducteur thermique par voie électrolytique. Ce procédé permet d'obtenir des métallisations d'électrodes parfaitement coplanaires et dont l'une au moins, celle qui est à l'aplomb du perçage, est bon conducteur thermique. Application aux transistors hyperfréquences. The invention relates to an insulating base for mounting a semiconductor wafer by means of its electrode metallizations, at least one of which requires drilling of the base, with metallization of the hole. According to the invention, instead of being made of ceramic, with mechanical drilling, the base is made of material (14) chosen from those which are pierced by anisotropic chemical attack by the wet or dry route. The drilling (15) stops in abutment against one (16) of the transfer metallizations (16, 17, 18) previously deposited on the base. The hole (15) is filled with metal (19) which is a good thermal conductor by electrolytic means. This process makes it possible to obtain metallizations of electrodes which are perfectly coplanar and of which at least one, that which is directly above the bore, is a good thermal conductor. Application to microwave transistors.

Inventors

• 👤 Raymond Henry
• 👤 Jean-Claude Resneau

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