Method of producing silicon carbide-based bodies by joining pre-fabricated parts

Abstract

Abstract Translated from German Formkörper auf SiC-Basis können aus zusammengepaßten Teilkörpern mit Verbindungsgrenzflächen aus SiSiC oder SiC erhalten werden, wenn in der Grenzfläche bewegliches Si vorhanden ist. Zu diesem Zweck werden die Grenzflächen, von denen jeweils zumindest die eine SiSiC aufweist, fein poliert, zusammengepaßt und vorzugsweise unter einem Preßdruck von zumindest 0,1 kg/cm² in einer inerten Atmosphäre mit einem Druck zwischen 10<->³ Torr und 1 at, insbesondere von 10<->² Torr, etwa 15 bis 100 Minuten lang auf eine Temperatur von 1500 bis 1800°C, insbesondere von etwa 1600°C, aufgeheizt. SiC-based moldings can be obtained from matched partial bodies with connection interfaces made of SiSiC or SiC if movable Si is present in the interface. For this purpose, the interfaces, each of which has at least one SiSiC, are finely polished, matched and preferably under a pressure of at least 0.1 kg / cm² in an inert atmosphere with a pressure between 10 <-> ³ Torr and 1 at , in particular from 10 <-> 2 Torr, heated to a temperature of 1500 to 1800 ° C, in particular of about 1600 ° C, for about 15 to 100 minutes.

Inventors

• 👤 Ashok Kumar Gupta
• 👤 Ernö Dr. Gyarmati
• 👤 Hermann Kreutz
• 👤 Rudolf Münzer
• 👤 Aristides Dr. Naoumidis

Bibliographic Details