Process for manufacturing integrated MOS field effect transistors, particularly circuits having complementary MOS field effect transistors with an additional conductor level comprising metal silicides

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von integrierten MOS-Feldeffekttransistoren, bei dem als zusätzliche Leiterbahnebene (11) eine Metallsilizidebene, vorzugsweise aus Tantalsilizid, verwendet wird. Dabei werden alle Kontakte (9, 10, 13, 14, 15) zu den aktiven MOS- (6, 7) und Polysiliziumbereichen (5) für die Metallsilizidebene (11) und auch für die Metall-Leiterbahnebene (12) vor der Abscheidung der Metallsilizide geöffnet und die Strukturierung der Metallsilizidebene (11) so durchgeführt, daß die p -Bereiche der Schaltung beim Verfließenlassen des aus Phosphorglas bestehenden Zwischenoxids (17) geschützt bleiben. Das Verfahren wird verwendet zur Herstellung von komplementären MOS-Feldeffekttransistorschaltungen (CMOS-FETs). The invention relates to a method for producing integrated MOS field effect transistors, in which a metal silicide level, preferably made of tantalum silicide, is used as an additional conductor level (11). All contacts (9, 10, 13, 14, 15) to the active MOS (6, 7) and polysilicon areas (5) for the metal silicide level (11) and also for the metal interconnect level (12) before the deposition of the Metal silicides opened and the structuring of the metal silicide level (11) carried out so that the p regions of the circuit remain protected when the intermediate oxide (17) consisting of phosphor glass is allowed to flow. The method is used to manufacture complementary MOS field-effect transistor (CMOS-FET) circuits.

Inventors

• 👤 Ulrich Dr. Schwabe

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