Epitaxial transistor

Abstract

Abstract Translated from German Epitaxiale npn-Transistoren sind auf einem stark n-dotierten Substrat (1) aufgebaut, in dem p-dotierende Verunreinigungen, vor allem Bor, enthalten sein können. Die Emitter- und Basiszonen (3, 4) werden bei hohen Temperaturen eindiffundiert, die gleichzeitig die Verunreinigungen aus dem Substrat (1) austreiben. Damit wird entweder eine p-dotierte Zwischenschicht zwischen Transistor und Subtrat gebildet oder eine hochohmige Zwischenschicht durch Gegendotierung erzeugt. Es ergibt sich entweder ein unerwünschter Thyristoreffekt, der zur Zerstörung der Bauelemente führen kann, oder eine Erhöhung des Bahnwiderstandes. Zur Vermeidung dieser Effekte wird zwischen das Substrat und den Transistor eine n-dotierte Zwischenschicht (9) gelegt, deren Dotierung um den Faktor 2 bis 100 über dem der Epitaxieschicht liegt. Epitaxial npn transistors are built on a heavily n-doped substrate (1), in which p-doping impurities, especially boron, can be contained. The emitter and base zones (3, 4) are diffused in at high temperatures, which at the same time drive the contaminants out of the substrate (1). In this way, either a p-doped intermediate layer is formed between the transistor and the substrate or a high-resistance intermediate layer is produced by counter-doping. The result is either an undesirable thyristor effect, which can lead to the destruction of the components, or an increase in the sheet resistance. To avoid these effects, an n-doped intermediate layer (9) is placed between the substrate and the transistor, the doping of which is 2 to 100 times greater than that of the epitaxial layer.

Inventors

• 👤 Helmut Dr.Phil. Strack

Bibliographic Details