Bipolar transistor controlled by field effect having an insulated gate electrode

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne les semi conducteurs. Il est décrit une structure semiconductrice à conduction bipolaire et à commande de conduction et de blocage par grille isolée. Elle comprend un substrat p<+> (10) constituant un émetteur de transistor bipolaire; une couche épitaxiale N (12) constituant la base; une région p<+> (16) de large surface constituant un collecteur, recouverte par un contact de collecteur et bordée par une région (14) où affleure la couche épitaxiale N; une région de source (24) n<+> incluse dans la région de collecteur et longeant le bord de cette dernière en laissant un intervalle (28); une grille isolée (32) au-dessus de cet intervalle, servant de grille de commande de la structure; une zone résistive (26) d'accès à la source, reliée d'un côté à la source (24) et de l'autre au contact de collecteur (22), la résistance de cette zone étant suffisante pour empêcher une mise en conduction irréversible de la structure. The invention relates to semiconductors. A semiconductor structure with bipolar conduction and with conduction and locking control by insulated gate is described. It comprises a substrate p <+> (10) constituting a bipolar transistor emitter; an N epitaxial layer (12) constituting the base; a region p <+> (16) of large surface constituting a collector, covered by a collector contact and bordered by a region (14) where the epitaxial layer N is flush; a source region (24) n <+> included in the collector region and running along the edge of the latter leaving a gap (28); an insulated grid (32) above this interval, serving as a control grid for the structure; a resistive zone (26) of access to the source, connected on one side to the source (24) and on the other to the collector contact (22), the resistance of this zone being sufficient to prevent conduction irreversible structure.

Inventors

• 👤 Bernard Descamps

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