Radiation detector with mesa photodiodes

Abstract

Abstract Translated from French Afin d'augmenter l'impédance des photodiodes de type "mesa" (1, 2, 3) dans les détecteurs de rayonnement éclairés "en face avant", c'est-à-dire du côté opposé à leur substrat, l'invention prévoit de percer ces détecteurs, à l'endroit des photodiodes, de trous (21), s'étendant en profondeur jusqu'au delà de la jonction (1) des photodiodes, de façon à réaliser autant de mosaïques de diodes élementaires constitutives de chaque photodiode. Pour améliorer la collection des porteurs, une couche (25), conductrice de l'électricité et transparente au rayonnement, peut être prévue à la surface des photodiodes, sous le contact (23). Applications : les mêmes que dans l'art antérieur, détection infrarouge notamment. In order to increase the impedance of photodiodes of the "mesa" type (1, 2, 3) in the radiation detectors lit "on the front face", that is to say on the side opposite to their substrate, the invention plans to pierce these detectors, at the location of the photodiodes, with holes (21), extending in depth to beyond the junction (1) of the photodiodes, so as to produce as many mosaics of elementary diodes constituting each photodiode. To improve the collection of carriers, a layer (25), electrically conductive and transparent to radiation, can be provided on the surface of the photodiodes, under the contact (23). Applications: the same as in the prior art, especially infrared detection.

Inventors

• 👤 Jacques Rebondy
• 👤 Michel Villard

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