Method of producing a field-effect transistor

Abstract

Abstract Translated from German Zum Herstellen eines Feldeffekttransistors werden zunächst Source und Drain, jeweils mit einer ohmschen Metallschicht (2,3,4) bedeckt, auf einem Halbleitersubstrat (1) erzeugt. Dann wird zwischen beiden ein Kanal (5, 6) gebildet. Innerhalb des Kanals (5, 6) wird photolithographisch ein Gate-Gebiet (8, 9) festgelegt. Alle freien Oberflächen werden mit einer Schottky-Metallschicht (10) überzogen. Durch einen weiteren photo lithographischen Prozeß wird eine Gate-Öffnung über dem Gate-Gebiet (8, 9) erzeugt. Das Halbleitersubstrat (1) wird dann zur Bildung einer sich vom Gate-Gebiet (8, 9) aus erstreckenden Metallsäule (14, 15) elektroplattiert. Anschließend wird zunächst die zweite Photoresistlackschicht (11) entfernt; dann werden alle Metalle (10, 14, 15) bis zur Freilegung der ersten Photoresistlackschicht (7) abgeätzt, die anschließend entfernt wird. Auf diese Weise können verschiedene Gate-Metall-Systeme verwendet und ein niedriger Gate-Widerstand sowie eine unsymmetrische Source-Gate-Drain-Anordnung ohne Benutzung von Abhebetechniken erzielt werden. To produce a field effect transistor, the source and drain, each covered with an ohmic metal layer (2, 3, 4), are first produced on a semiconductor substrate (1). Then a channel (5, 6) is formed between the two. A gate region (8, 9) is determined photolithographically within the channel (5, 6). All free surfaces are covered with a Schottky metal layer (10). Another photo-lithographic process creates a gate opening over the gate region (8, 9). The semiconductor substrate (1) is then electroplated to form a metal column (14, 15) extending from the gate region (8, 9). Then the second photoresist layer (11) is first removed; then all metals (10, 14, 15) are etched away until the first photoresist layer (7) is exposed, which is then removed. In this way, various gate-metal systems can be used and a low gate resistance and an asymmetrical source-gate-drain arrangement can be achieved without using lifting techniques.

Inventors

• 👤 Leonard S. Rosenheck
• 👤 Ira Drukier

Bibliographic Details