Method of manufacturing an integrated planar bipolar transistor

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung beschäftigt sich mit einem lonenimplantations-verfahren zum Herstellen von integrierten bipolaren Planartransistoren, insbesondere für sehr hohe Frequenzen. Dabei tritt das Problem auf, daß die Dickenschwankungen der Isolierschicht, durch die die Dotierungen der Basiszone als Ionen in den Halbleiterkörper implantiert werden, sich in Form von Schwankungen der Stromverstärkungsfaktoren äußern. Dieses Problem wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß die Dotierungen der Emitterzone (4) durch dieselbe Isolierschicht (3) implantiert werden wie die Dotierungen der Basiszone (1). Die gesamte Ladungsmenge in der Basiszone (1) unter der Emitterzone (4) wird dadurch weitgehend unabhängig von den Dickenschwankungen der Isolierschicht (3), durch welche die Dotierungen der Emitterzone (4) und die der Basiszone (1) implantiert werden. The invention is concerned with an ion implantation method for producing integrated bipolar planar transistors, in particular for very high frequencies. The problem arises that the thickness fluctuations of the insulating layer, through which the dopants of the base zone are implanted as ions in the semiconductor body, manifest themselves in the form of fluctuations in the current amplification factors. This problem is solved according to the invention in that the doping of the emitter zone (4) is implanted by the same insulating layer (3) as the doping of the base zone (1). The total amount of charge in the base zone (1) below the emitter zone (4) is largely independent of the thickness fluctuations of the insulating layer (3), by which the doping of the emitter zone (4) and that of the base zone (1) are implanted.

Inventors

• 👤 Hans-Jürgen Dr. Ing. Gahle

Bibliographic Details