Planar field-effect transistor having elektrodes comprising metallised holes, and process for manufacturing the transistor

Abstract

Abstract Translated from French L'invention a pour but d'éliminer de nombreux inconvénients de la structure planar des transistors à effet de champ comportant des électrodes de source, grille et drain situées du même côté de la couche active. A cet effet, on utilise la possibilité de graver par faisceau d'ions (d'argon par exemple) des puits (5) de très petit diamètre (inférieur au micron) et de les remplir de métal par pulvérisation cathodique d'une substance susceptible de former avec le semiconducteur un contact Schottky. On réalise donc une rangée de puits (5) métallisés espacés de moins d'un micron, puis on réunit ces puits par une électrode (6), les puits étant assez profonds pour pénétrer jusque dans le substrat (1). Application en très haute fréquence associée à un faible niveau de bruit. The object of the invention is to eliminate many disadvantages of the planar structure of field effect transistors comprising source, gate and drain electrodes located on the same side of the active layer. To this end, use is made of the possibility of etching with an ion beam (of argon for example) wells (5) of very small diameter (less than a micron) and of filling them with metal by sputtering with a substance capable of to form a Schottky contact with the semiconductor. A row of metallized wells (5) is therefore produced, spaced less than one micron apart, then these wells are joined by an electrode (6), the wells being deep enough to penetrate into the substrate (1). Very high frequency application associated with a low noise level.

Inventors

• 👤 Paul Robert Jay

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