Vertical MIS field effect transistor with low forward resistance

Abstract

Abstract Translated from German Der Durchlaßwiderstand eines vertikalen MIS-FET nimmt mit steigender maximaler Blockierspannung U Block etwa proportional U Block 2,5 zu. Der Durchlaßwiderstand kann bei gleicher maximaler Blockierspannung erniedrigt werden, wenn an der Oberfläche des Substrats (2) in der Nähe der Sourcezonen (5) Injektorzonen (9) angeordnet sind, die dem Substrat entgegengesetzten Leitungstyp haben. Bei Einspeisung eines Stroms injizieren diese z. B. positive Ladungsträger in die schwach dotierte Drainzone (2), was zu einer höheren Elektronendichte und damit zur Verminderung des Widerstands im Drainbereich führt. Die Erfindung ist z. B. bei schnellen Leistungsschaltern anwendbar. The forward resistance of a vertical MIS-FET increases approximately proportionally to U Block 2.5 with increasing maximum blocking voltage U Block . The on-state resistance can be reduced at the same maximum blocking voltage if there are injector zones (9) on the surface of the substrate (2) in the vicinity of the source zones (5), which have the opposite conductivity type to the substrate. When feeding a current, they inject z. B. positive charge carriers in the weakly doped drain zone (2), which leads to a higher electron density and thus to a reduction in resistance in the drain region. The invention is e.g. B. applicable to fast circuit breakers.

Inventors

• 👤 Jenö Dr. Tihanyi

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