Method of producing extremely fine features

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von extremen Feinstrukturen und von Masken mit extremen Feinstrukturen auf Substraten (1), bei dem auf einem Substrat (1) mindestens eine strukturierte Maske, z. B. in Form einer Fotolackmaske (4), abgeschieden wird und mindestens eine Materialabscheidung vorgenommen wird, bei der Materie unter einem bestimmten Winkel auf bzw. in der strukturierten Maske abgeschieden wird. Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung von Feldeffekttransistoren, Gunnlogik und Verdrahtung. The invention relates to a method for producing extreme fine structures and masks with extreme fine structures on substrates (1), in which on a substrate (1) at least one structured mask, eg. B. in the form of a photoresist mask (4), and at least one material deposition is carried out, in which matter is deposited at a certain angle on or in the structured mask. The invention is applicable in the manufacture of field effect transistors, Gunn logic and wiring.

Inventors

• 👤 Friedrich Dr. Rer. Nat. Phys. Kraus

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