Radiation sensitive solid-state image converter

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft einen strahlenempfindlichen Festkörperbildwandler mit einer Anzahl von FET, der ein Substrat (21) mit eindiffundierten Arbeitselektroden (22, 23) aufweist, auf dem eine Isolierschicht (24) aufgetragen ist, die im Bereich der Arbeitselektroden (22, 23) leitende Gateelektroden (25) trägt, die von einer strahlenempfindlichen Schicht (12) überdeckt werden, auf der eine transparente leitende Elektrode (13) aufgebracht ist, sowie mit Schaltmitteln (27) zum wahlweise zerstörungsfreien Lesen oder Löschen der Ladungen der FET und mit einem Taktgenerator zur Anschaltung an einen Videoverstärker (16), wobei jede Gateelektrode (25) der FET über eine Schutzdiode (31) mit Masse und über eine weitere Schutzdiode (32) mit einer der Arbeitselektroden (22, 23) der FET verbunden ist. Die Schaltmittel (27) sind an der transparenten Elektrode (13) angeschlossen. The invention relates to a radiation-sensitive solid-state image converter with a number of FETs, which has a substrate (21) with diffused-in working electrodes (22, 23), on which an insulating layer (24) is applied which has gate electrodes that conduct in the area of the working electrodes (22, 23) (25), which are covered by a radiation-sensitive layer (12) on which a transparent conductive electrode (13) is applied, as well as with switching means (27) for optionally non-destructive reading or erasing the charges of the FET and with a clock generator for connection to a video amplifier (16), each gate electrode (25) of the FET being connected to ground via a protective diode (31) and to one of the working electrodes (22, 23) of the FET via a further protective diode (32). The switching means (27) are connected to the transparent electrode (13).

Inventors

• 👤 Jörg Haendle
• 👤 Heinz Horbaschek

Bibliographic Details