Reading circuit for a monolithic integrated semiconductor memory

Abstract

Abstract Translated from German Bei der ublichen Organisation von dynamischen Schreib-Lesespeichern mit Ein-Transistor-Speicherzellen ist pro Spalte der Speichermatrix je ein Komparator K und je eine Vergleichszelle - letztere in Form einer mit den Speicherzellen identischen Zelle - vorgesehen. Der Komparator K besteht aus einer Flip-Flop-Speicherzelle, deren informationsfuhrende Anschlüsse uber eine entsprechende Bitleitung BL an die Ein-Transistor-Speicherzellen bzw. an die Vergleichszelle der betreffenden Matrixspalte gelegt sind. Ublicherweise sind dabei die Transistoren in den Ein-Transistor- Speicherzellen der Speichermatrix, in den Vergleichszellen und im Komparator K samtlich vomselben Kanaltyp, insbesondere vom n-Kanaltyp. In the usual organization of dynamic read-write memories with one-transistor memory cells, one comparator K and one comparison cell are provided per column of the memory matrix - the latter in the form of a cell identical to the memory cells. The comparator K consists of a flip-flop memory cell, the information-carrying connections of which are connected to the one-transistor memory cells or to the comparison cell of the relevant matrix column via a corresponding bit line BL. Usually, the transistors in the one-transistor memory cells of the memory matrix, in the comparison cells and in the comparator K are all of the same channel type, in particular of the n-channel type. Wie nun gemaß der Erfindung erkannt wurde, empfiehlt es sich die einander gleichen Komparatoren K durch aus komplementären MOS-Feldeffekttransistoren aufgebaute Flip-Flop-Speicherzellen zu realisieren, weil dann die Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers und die Empfindlichkeit der Komparatoren K erheblich vergroßert werden kann. Durch diesen Vorteil ist der erhofite Aufwand an Dotierungsma- ßnahmen mehr als gerechtfertigt. As has now been recognized in accordance with the invention, it is advisable to implement the same comparators K by means of flip-flop memory cells constructed from complementary MOS field-effect transistors, because then the operating speed of the memory and the sensitivity of the comparators K can be increased considerably. This advantage more than justifies the expected expenditure on doping measures.

Inventors

• 👤 Kurt Dr.-Ing. Hoffmann

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