Self firing thyristor

Abstract

Abstract Translated from German Ein zur Selbstzündung bestimmter Thyristor (1 - 6) enthält eine mit dem Thyristor integrierte Zenerdiode (3, 9), die den mittleren Übergang (2 - 3) des Thyristors überbrückt und deren Durchbruchspannung die Kippspannung des Thyristors bestimmt. Die Durchbruchspannung der Zenerdiode wird von der Feldgeometrie des nahe an der Oberfläche des Halbleiterkörpers liegenden Teils des Zenerüberganges bestimmt, wo der Durchbruch stattfinden soll. Über diesem Teil des Zenerüberganges ist ein leitender Schirm (15) angeordnet und von dem darunterliegenden Teil der Oberfläche des HalbleiterkoFpers durch eine isolierende Schicht (11) getrennt. Der Thyristor ist mit Mitteln (L) zur Beeinflussung des Potentials des Schirmes versehen, welches seinerzeit die Feldgeometrie und damit die Durchbruchspannung des Zenerdiodenteils und damit die Kippspannung des Thyristors beeinflußt. A self-igniting thyristor (1 - 6) contains a zener diode (3, 9) integrated with the thyristor, which bridges the middle transition (2 - 3) of the thyristor and whose breakdown voltage determines the breakover voltage of the thyristor. The breakdown voltage of the zener diode is determined by the field geometry of the part of the zener junction which is close to the surface of the semiconductor body, where the breakdown is to take place. A conductive screen (15) is arranged above this part of the Zener junction and separated from the underlying part of the surface of the semiconductor body by an insulating layer (11). The thyristor is provided with means (L) for influencing the potential of the screen, which at that time influences the field geometry and thus the breakdown voltage of the Zener diode part and thus the breakover voltage of the thyristor.

Inventors

• 👤 Per-Erik Dipl. Ing. Jonsson
• 👤 Per Dipl. Ing. Svedberg

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