Monolithic static memory cell and method for its operation

Abstract

Abstract Translated from German Monolithische statische Speicherzelle mit zwei kreuzgekoppelten Invertern (Flipflop), deren Lastelemente als Feldeffekttransistoren (T2,T4) ausgebildet sind. Angestrebt wird eine erste Vorzugslage beim Anschalten der Versorgungsspannung (U cc ), die in die entgegengesetzte Vorzugslage umgeschrieben werden kann. Dies wird dadurch erreicht, daß die genannten Feldeffekttransistoren (T2, T4) mit unterschiedlichen Kanalwiderständen ausgebildet sind (1. Vorzugslage) und daß die Gate-Isolierschicht eines (T4) derselben unter dem Einfluß eines diese selektiv abtastenden Elektronenstrahls in ihrem Ladungszustand verändert wird (18). Die hierdurch verursachte Änderung seines Kanalwiderstandes kehrt das Größenverhältnis der beiden Kanalwiderstände um. Der Anwendungsbereich umfaßt RAMs mit kundenspezifisch veränderbaren, fest eingespeicherten Prüfinformationen. Monolithic static memory cell with two cross-coupled inverters (flip-flop), the load elements of which are designed as field-effect transistors (T2, T4). The aim is a first preferred position when switching on the supply voltage (U cc ), which can be rewritten in the opposite preferred position. This is achieved in that the aforementioned field effect transistors (T2, T4) are designed with different channel resistances (1st preferred position) and in that the gate insulating layer of one (T4) is changed in their charge state under the influence of an electron beam scanning them selectively (18th ). The change in its channel resistance caused by this reverses the size ratio of the two channel resistances. The application area includes RAMs with customer-specific changeable, permanently stored test information.

Inventors

• 👤 William G. Professor Oldham

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