Transistor with high collector-emitter breakdown voltage

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine Transistoranordnung mit hoher Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung, bei der die Kollektorzone eine schwach dotierte epitaktische Schicht (11) auf einem schwach dotierten Substrat (10) des zur epitaktischen Schicht (11) entgegengesetzten Leitungstyps ist. In einem Ausführungsbeispiel ist die Basis (4) des Transistors nur teilweise mit einem Buried layer (1) unterlegt, derart, daß zwischen dem Rand der Basis (4) und dem Rand des Buried layer (1) ein Junction-Feldeffekttransistor entsteht, während in einem anderen Ausführungsbeispiel zwischen der Basiszone (4) und der Kollektoranschlußdiffusion (3) ein Junction-Feldeffekttransistor liegt, dessen Breiten/Längen-Verhältnis des Kanals entsprechend dem zu verarbeitenden Strom ausgelegt ist. The invention relates to a transistor arrangement with a high collector-emitter breakdown voltage, in which the collector zone is a lightly doped epitaxial layer (11) on a lightly doped substrate (10) of the opposite conduction type to the epitaxial layer (11). In one embodiment, the base (4) of the transistor is only partially underlaid with a buried layer (1), such that a junction field effect transistor is formed between the edge of the base (4) and the edge of the buried layer (1), while in In another embodiment, a junction field effect transistor is located between the base zone (4) and the collector connection diffusion (3), the width / length ratio of the channel of which is designed according to the current to be processed.

Inventors

• 👤 Wolfgang Dr. Werner

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