Circuit for a semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Vierschichten-Halbleiterkörper mit dem Aufbau eines Thyristors oder einer Shockley-Diode bildet der N-Emitter (1), eine im Abstand neben ihm angeordnete, mit der P-Basis leitend verbundenen N-Zone (9) und der dazwischen liegende Teil (10) der P-Basis (2) zusammen mit einer letzteren isoliert überdeckende Gateelektrode (12) einen steuerbaren Emitterkurzschluß. Die Gateelektrode (12) ist mit dem von der Kathode abgewandten Anschluß eines in einen äußeren Stromkreis eingefügten Widerstands (RS) verbunden. In the case of a four-layer semiconductor body with the structure of a thyristor or a Shockley diode, the N-emitter (1) forms an N-zone (9) which is arranged at a distance from it and conductively connected to the P-base, and the part in between ( 10) the P-base (2) together with a latter insulated gate electrode (12) a controllable emitter short circuit. The gate electrode (12) is connected to the connection of a resistor (RS) inserted into an external circuit facing away from the cathode.

Inventors

• 👤 Hubert Dr. Patalong

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