Semiconductor unit with a minimum of two semiconductor elements

Abstract

Abstract Translated from German Halbleiterbaueinheit mit wenigstens zwei Halbleiterbauelementen, die in einem Gehäuse auf der metallischen Bodenplatte elektrisch isoliert und thermisch leitend befestigt und mit ihren Stromleiterteilen durch Federdruck kontaktiert sind, bei welcher eine wirtschaftlichere Herstellung unter Kontrolle aller Verfahrensschritte, die beliebige elektrische Orientierung der Halbleiterbauelemente und die Austauschbarkeit von Bauteilen dadurch erzielbar ist, daß die Halbleiterbauelemente jeweils mit ihren Kontaktbauteilen auf einer Kontaktschiene, welche den einen Stromanschluß der Halbleiterbauelemente bildet, gestapelt sind und die Bauteilestapel austauschbar gemeinsam sowohl durch Druck kontaktiert als auch über die Kontaktschiene mit der Bodenplatte verbunden sind, daß das freie Ende der Kontaktschiene durch das Gehäuse geführt ist und einen Stromanschluß in gewünschter Höhe bildet, und daß der obere Stromleiter jedes Halbleiterbauelements mit diesem konzentrisch gestapelt und verdrehungssicher durch den Deckel des Gehäuses geführt ist. Semiconductor assembly with at least two semiconductor components, which are electrically insulated and thermally conductively fastened in a housing on the metallic base plate and are contacted with their current conductor parts by spring pressure, in which a more economical production under control of all process steps, the arbitrary electrical orientation of the semiconductor components and the interchangeability of components can be achieved in that the semiconductor components are each stacked with their contact components on a contact rail, which forms the one power connection of the semiconductor components, and the component stack is interchangeably contacted both by pressure and connected to the base plate via the contact rail, so that the free end of the Contact rail is guided through the housing and forms a power connection at the desired height, and that the upper conductor of each semiconductor device is stacked with this concentrically and twisted cher is passed through the cover of the housing.

Inventors

• 👤 Winfried Ing. Grad. Schierz
• 👤 Helmut Ing Grad Creutz

Bibliographic Details