Process for the manufacture of a GaAs semiconductor arrangement

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Galliumarsenid-Halbleiteranordnung, bei dem in einen Halbleiterkörper (1) zwei verschiedene Dotierstoffe eingebracht werden, um so verschiedene Zonen (4,6) zu erzeugen. Mit nur einem Verfahrensschritt wird auf diese verschiedenen Zonen (4, 6) eine Metallisierung (8) aufgebracht, die mit den verschiedenen Zonen (4, 6) sperrende und nichtsperrende Kontakte bildet. The invention relates to a method for producing a gallium arsenide semiconductor arrangement, in which two different dopants are introduced into a semiconductor body (1) so as to produce different zones (4, 6). With only one process step, a metallization (8) is applied to these different zones (4, 6), which forms blocking and non-blocking contacts with the different zones (4, 6).

Inventors

• 👤 Ewald Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Pettenpaul
• 👤 Jakob Dipl.-Phys. Huber
• 👤 Herbert Dr. Rer. Nat. Dipl.-Phys. Weidlich

Bibliographic Details