Method of making integrated semiconductor circuits, particularly CCD circuits with self-aligned, non-overlapping polysilicon electrodes

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen, insbesondere CCD-Schaltungen, mit selbstjustierten, nichtüberlappenden Poly-Silizium-Elektroden, bei denen die laterale Ausdehnung der The invention relates to a method for producing integrated semiconductor circuits, in particular CCD circuits, with self-aligned, non-overlapping poly-silicon electrodes, in which the lateral extent of the Elektroden in die Größenordnung der Schichtdicken fällt. Electrodes falls in the order of the layer thicknesses. Bei bekannten Doppel-Silizium- Gate-Prozessen (Si 2 -Gate-Prozessen) findet eine unvermeidliche Überlappung statt. In known double silicon gate processes (Si 2 gate processes) there is an inevitable overlap. Eine solche Überlappung ist wegen der erhöhten Koppelkapazität und der begrenzten Packungsdichte unerwünscht. Such an overlap is undesirable because of the increased coupling capacity and the limited packing density. Es liegt die Aufgabe zugrunde, ein Herstellungsverfahren zur Erzeugung von integrierten Halbleiterschaltungen zu schaffen, durch das die Überlappungen vermeidbarsind. It is an object of the invention to provide a production method for producing semiconductor integrated circuits by means of which the overlaps can be avoided. Die Aufgabe wird wie folgt gelöst: Bei der Ätzung der Poly-Si-1-Schicht werden im Bereich der aufzutragenden Poly-Si-2- Elektroden Höhlungen unter der Elektroden-Isolierschicht SiO 2 oder Si 3 N 4 zur Erzeugung von Überhängen erzeugt. Bei einer folgenden Gasphasenabscheidung werden diese Höhlungen vollständig aufgefüllt. Die entstandene Poly-Si-2-Schicht wird so weit abgeätzt, daß ihre Oberfläche etwas unterhalb der Oberfläche der Isolierschicht liegt. Es besteht praktisch keinerlei Überlappung benachbarter Elektroden. The task is solved as follows: During the etching of the poly-Si-1 layer, cavities are produced in the area of the poly-Si-2 electrodes to be applied under the electrode insulating layer SiO 2 or Si 3 N 4 to produce overhangs. These cavities are completely filled in a subsequent gas phase deposition. The resulting poly-Si-2 layer is etched away to such an extent that its surface lies slightly below the surface of the insulating layer. There is practically no overlap between adjacent electrodes.

Inventors

• 👤 Dietrich Dr.-Ing. Widmann

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