Apertured mask for creating patterned surfaces and process for its manufacture

Abstract

Abstract Translated from German Die Maske ist aufgebaut aus einem Halbleitersubstrat (1), einer anders als das Substrat (1) dotierten Obertlächenschicht (3) und einer Metallauflage (5, 6). Von der Substratunterseite erstrecken sich wannenförmige Vertiefungen (15) bis zur Oberflächenschicht (3). Die Metallauflage (5, 6) und die Oberflächenschicht (3) weisen durchgehende Löcher auf, welche in der Metallauflage (5, 6) das Maskenmuster definieren und in der Oberflächenschicht (3) erweitert sind, so dass die Metallauflage (5, 6) überhängt. The mask is made up of a semiconductor substrate (1), a surface layer (3) doped differently from the substrate (1) and a metal layer (5, 6). Trough-shaped depressions (15) extend from the underside of the substrate to the surface layer (3). The metal support (5, 6) and the surface layer (3) have through holes which define the mask pattern in the metal support (5, 6) and are expanded in the surface layer (3) so that the metal support (5, 6) overhangs . Zur Maskenherstellung wird ein Halbleiterplättchen einseitig dotiert. Auf der dotierten Oberflächenschicht (3) wird die Metallauflage (5, 6) und eine Oxidschicht abgeschieden, in welche das Maskenmuster geätzt wird. Durch die freiliegenden Bereiche der Metallauflage (5, 6) hindurch und in das Halbleitermaterial hinein wird geätzt. Dann wird die Metallauflage (5, 6) unterätzt. Schliesslich werden die Vertiefungen (15) geätzt. A semiconductor wafer is doped on one side for mask production. The metal layer (5, 6) and an oxide layer, into which the mask pattern is etched, are deposited on the doped surface layer (3). Etching is carried out through the exposed areas of the metal layer (5, 6) and into the semiconductor material. Then the metal support (5, 6) is under-etched. Finally, the depressions (15) are etched. Die auch bei thermischer Belastung mechanisch stabile Maske ist beispielsweise bei der Elektronenstrahllithographie verwendbar. The mask, which is mechanically stable even under thermal stress, can be used, for example, in electron beam lithography.

Inventors

• 👤 Harald Bohlen
• 👤 Helmut Dr. Engelke
• 👤 Johann Dr. Greschner
• 👤 Peter Dr. Nehmiz

Bibliographic Details