Method of forming openings in masks for the production of semiconductor devices

Abstract

Abstract Translated from German Mit dem angegebenen Verfahren lassen sich extrem schmal dimensionierte Oberflächenbereiche für Halbleiteranordnungen ausbilden, die gegenüber mit üblichen Photolithographieverfahren herstellbaren Minimaldimensionen verringerte Abmessungen aufweisen, z. B. Linienbreiten bis in den Bereich <1 µm. Dazu werden in der Unterlage zunächst in üblicher Weise Vertiefungen ausgebildet, so daß im wesentlichen horizontale sowie im wesentlichen vertikale Oberflächenbereiche (14, 16) vorliegen. Die Anordnung wird anschliessend mit einer die gesamte Oberfläche bedeckenden Schicht (18) überzogen. Diese Schicht (18) wird schließlich einem reaktiven Ionenätzverfahren unterworfen, bei dem die horizontalen Schichtbereiche abgetragen und die auf den vertikalen Oberflächen der Unterlage verbleibenden Schichtbereiche zur Bereitstellung einer gegenüber der ursprünglichen Öffnungsweite schmaleren Öffnung belassen werden. Das Verfahren läßt sich für zahlreiche in der Halbleitertechnik übliche Substrate bzw. Unterlagen einsetzen, z. B. für einkristalline Siliciumsubstrate mit oder ohne Eptiaxieschichten oder Subkollektorbereiche, für von einer Schicht aus polykristallinem Silicium bedeckte Substrate mit einer isolierenden Einfach- oder Doppelschicht oder dergleichen. With the specified method, extremely narrowly dimensioned surface areas can be formed for semiconductor arrangements, which have reduced dimensions compared to the minimum dimensions that can be produced with conventional photolithography methods, eg. B. line widths in the range <1 µm. For this purpose, depressions are first formed in the base in the usual way, so that there are essentially horizontal and essentially vertical surface areas (14, 16). The arrangement is then covered with a layer (18) covering the entire surface. This layer (18) is finally subjected to a reactive ion etching process in which the horizontal layer regions are removed and the layer regions remaining on the vertical surfaces of the base are left to provide an opening which is narrower than the original opening width. The method can be used for numerous substrates or substrates common in semiconductor technology, e.g. B. for single-crystalline silicon substrates with or without eptiaxia layers or sub-collector areas, for substrates covered by a layer of polycrystalline silicon with an insulating single or double layer or the like.

Inventors

• 👤 Hans Bernhard Pogge

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