Process for the removal of a metallic layer from a semiconductor body by reactive ion etching

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen einer Metallschicht von einem Halbleiterkörper durch reaktives lonenätzen. The invention relates to a method for removing a metal layer from a semiconductor body by reactive ion etching. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Metallschichten, beispielsweise aus Chrom oder Titan-Wolfram, die bei der Herstellung von Metallisierungsmustern auf Siliciumsubstraten als Adhäsions- oder Sperrschichten Anwendung finden, geätzt werden, ohne daß gleichzeitig das Siliciumsubstrat oder das aluminiumhaltige Metallisierungsmuster angegriffen wird. Die Metallschichten werden einer Glimmentladung ausgesetzt, die durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung an zwei Elektroden in einer Atmosphäre mit einem Gehalt an etwa 5 bis 20 Vol.% polychlorierter organischer Verbindung, beispielsweise CCl 4 oder C 2 HCl 3 und etwa 80 Vol.% Sauerstoff bei einem Gesamtdruck von etwa 5 bis 50 Millitorr erzeugt wird. With the method according to the invention, metal layers, for example of chromium or titanium-tungsten, which are used as adhesion or barrier layers in the production of metallization patterns on silicon substrates, can be etched without simultaneously attacking the silicon substrate or the aluminum-containing metallization pattern. The metal layers are exposed to a glow discharge caused by applying a high frequency voltage to two electrodes in an atmosphere containing about 5 to 20 vol.% Polychlorinated organic compound, for example CCl 4 or C 2 HCl 3 and about 80 vol.% Oxygen at one Total pressure of about 5 to 50 millitorr is generated.

Inventors

• 👤 James Robert Kitcher
• 👤 Gunars Miervaldis Ozols
• 👤 Bryant Zingerman

Bibliographic Details