Process and apparatus for reactive ion etching

Abstract

Abstract Translated from German Verfahren und Einrichtung zum reaktiven lonenätzen. Um bei der Herstellung monolithisch integrierter Halbleiterschaltungen Metalle, Silicium und dessen Oxide und Nitride reaktiv mit negativen Ionen ätzen zu können, wird in der Vakuumkammer mit Hilfe eines Gitters aus einem weichmagnetischen Material ein magnetisches Feld senkrecht zur Bewegungsrichtung der negativen lonen erzeugt. Das Feld besitzt eine solche Stärke, daß die negativen lonen, mit denen geätzt werden soll, das Gitter passieren können, die zum Aufrechterhalten der Gasentladung benötigten Elektronen das Plasma jedoch nicht verlassen können Method and device for reactive ion etching. In order to be able to reactively etch metals, silicon and its oxides and nitrides with negative ions in the manufacture of monolithically integrated semiconductor circuits, a magnetic field is generated in the vacuum chamber with the aid of a grid made of a soft magnetic material perpendicular to the direction of movement of the negative ions. The field is of such strength that the negative ions to be etched can pass through the grid, but the electrons needed to maintain the gas discharge cannot leave the plasma

Inventors

• 👤 John Howard Keller
• 👤 Charles Michael Mc Kenna

Bibliographic Details