Process for manufacturing a semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, insbesondere für optoelektronische Bauelemente, bei dem auf einem Substrat aus einer Halbleiterverbindung wenigstens eine Schicht aus einer weiteren Halbleiterverbindung epitaktisch abgeschieden wird. The invention relates to a method for producing a semiconductor arrangement, in particular for optoelectronic components, in which at least one layer made of a further semiconductor connection is epitaxially deposited on a substrate made of a semiconductor connection. Die Erfindung besteht darin, daß die Oberfläche des Substrats (2) mit einer Vielzahl von Facetten-Strukturen (14) der weiteren Halbleiterverbindung versehen wird. Vor der Epitaxie wird die Oberfläche des Substrats mit einer Vielzahl von Mesa-Bergen (10) in vorbestimmter Verteilung versehen, aus denen dann jeweils eine Facetten-Struktu (14) entsteht. The invention consists in that the surface of the substrate (2) is provided with a multiplicity of facet structures (14) of the further semiconductor connection. Before the epitaxy, the surface of the substrate is provided with a multiplicity of mesa mountains (10) in a predetermined distribution, from which a facet structure (14) then arises. Die ebene und störungsfreie Kristalloberfläche der Facetten bleibt bei der Abscheidung weiterer Schichten erhalten. Das Verfahren ist deshalb besonders geeignet zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und Mikrowellen-Bauelementen. The flat and undisturbed crystal surface of the facets is retained when further layers are deposited. The method is therefore particularly suitable for the production of optoelectronic components and microwave components.

Inventors

• 👤 Wolfgang Endler
• 👤 Heinz Westermeier
• 👤 Karl-Heinz Dr. Zschauer

Bibliographic Details