PROCESS AND DEVICE FOR REACTIVE DISTURBANCE

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren und die zugehoerige Einrichtung zum reaktiven Zerstaeuben nach dem Prinzip des Plasmatrons zum Aufbringen von Schichten chemischer Verbindungen wie Oxide,Karbide und Nitride durch Zerstaeuben eines rein metallischen Targets in einem reaktiven Gas. Das Ziel ist die Verbesserung der chemischen Zusammensetzung von Schichten, und die Aufgabe ist die Erhoehung der Aufstaeuberate. Geloest wird die Aufgabe durch die getrennte Zufuehrung eines Edelgases und eines Reaktionsgases, wobei das Edelgas durch Durchbrueche im Target und das Reaktionsgas in Substratnaehe zugefuehrt werden. Die Zufuehrung des Edelgases erfolgt im Bereich der maximalen Targeterosion. Die zugehoerige Einrichtung besitzt eine Gaszufuehrung durch die Zerstaeubungsquelle mit entsprechend auf der Unterseite des Targets angeordneten Kanaelen, die in den Durchtrittsoeffnungen enden. The invention relates to a method and the associated device for reactive Zerstaeuben on the principle of the plasmatron for applying layers of chemical compounds such as oxides, carbides and nitrides by Zerstaeuben a purely metallic target in a reactive gas. The goal is to improve the chemical composition of layers, and the task is to increase the Aufstaeuberate. The object is solved by the separate supply of a noble gas and a reaction gas, wherein the inert gas is supplied by breakthroughs in the target and the reaction gas in the substrate near. The supply of the noble gas takes place in the area of maximum target erosion. The associated device has a gas supply through the Zerstaeubungsquelle with correspondingly arranged on the bottom of the target channels that end in the Durchtrittsoeffnungen.

Inventors

• 👤 Ullrich Heisig
• 👤 Klaus Goedicke
• 👤 Johannes Hartung
• 👤 Wolfgang Hempel
• 👤 Karl Steinfelder
• 👤 Johannes Struempfel
• 👤 Gerold Vogler
• 👤 Helmut Dintner
• 👤 Juergen Henneberger

Bibliographic Details