METHOD FOR PREPARING A SEMICONDUCTOR DEVICE BEFORE DEPOSITING A METAL.

Abstract

Abstract Translated from French Une méthode pour préparer un dispositif semiconducteur avant d'y déposer un métal, par exemple de l'aluminium, comprenant les étapes de laisser oxyder le dispositif, de déposer une couche d'oxyde de silicum dopé sur la couche d'oxyde de silicium obtenue, de créer des fenetres dans l'oxyde de silicum dopé sans toucher à la couche d'oxyde de silicium, de cuire l'oxyde de silicum dopé (reflux), de déposer une nouvelle couche d'oxyde de silicium sur tout le dispositif et de créer des fenetres dans les fenetres précédentes en percant les 2 couches d'oxyde de silicium. A method for preparing a semiconductor device before depositing a metal, for example aluminum therein, comprising the steps of allowing the device to oxidize, of depositing a layer of doped silicon oxide on the layer of silicon oxide obtained , to create windows in doped silicon oxide without touching the layer of silicon oxide, to cook doped silicon oxide (reflux), to deposit a new layer of silicon oxide on all the device and to create windows in the previous windows by piercing the 2 layers of silicon oxide.

Inventors

• 👤 P Bloch

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